氧化电压对氧化铝模板的影响
对铝片进行阳极氧化试验时，电压低于10V情况下阴极上基本没有气泡产生，说明阳极氧化反应很缓慢，这样的多孔氧化铝哎的孔径也很小，不能作为制备纳米材料的模板；当氧化电压高于25 V时反应比较剧烈，阴极有大量气泡生成，并且电解液温度快速升高，10 min左右将已形成的氧化膜击穿。因此，以1.0mol／L的硫酸为电解液对铝片进行阳极氧化，氧化电压的范围应在10V～25 V之间。而氧化电压耐多孔阳极氧化铝模板的纳米孔孔径的影响需从电镜照片来观察。图1是氧化电压分别为10 V、15V、20V、25 V时制备的多孔氧化铝模板的SEM照片。由图1及表1可见，氧化电压为10V时，多孔氧化铝膜的孔径较小，并且孔径大小不均匀、有序性较差；随着氧化电压升高，孔径逐渐增大，孔的有序性提高。从孔的有序性看，氧化电压的范围以20V～25V为宜。
对铝片进行阳极氧化试验时，电压低于10V情况下阴极上基本没有气泡产生，说明阳极氧化反应很缓慢，这样的多孔氧化铝哎的孔径也很小，不能作为制备纳米材料的模板；当氧化电压高于25 V时反应比较剧烈，阴极有大量气泡生成，并且电解液温度快速升高，10 min左右将已形成的氧化膜击穿。因此，以1.0mol／L的硫酸为电解液对铝片进行阳极氧化，氧化电压的范围应在10V～25 V之间。而氧化电压耐多孔阳极氧化铝模板的纳米孔孔径的影响需从电镜照片来观察。图1是氧化电压分别为10 V、15V、20V、25 V时制备的多孔氧化铝模板的SEM照片。由图1及表1可见，氧化电压为10V时，多孔氧化铝膜的孔径较小，并且孔径大小不均匀、有序性较差；随着氧化电压升高，孔径逐渐增大，孔的有序性提高。从孔的有序性看，氧化电压的范围以20V～25V为宜。
